【BLK-323】奇跡の小麦肌BODY専属デビュームッチリ爆乳Gカップ現役GAL女子大生を発掘！！ SARA</a>2017-07-29kira☆kira&$kira☆kir119分钟 张波 中语主页 电子科技大学主页平台惩办系统

张波，男，1964年5月生，教化，博士生导师，电子科技大学集成电路商量中心主任。国度当然科学基金委员会第十二届大家评审组大家；国度“中枢电子器件、高端通用芯片及基础软件居品”科技首要专项总体组大家（2008-2013）；国度“极大领域集成电路制造装备及成套工艺”科技首要专项总体组特聘大家；国度集成电路东谈主才培养基地大家组大家；中国半导体行业协会理事；中国电工技能学会电力电子学会理事；四川省电子学会半导体集成技能专委会主任等。 1985年本科毕业于北京工业学院（现北京理工大学）半导体专科，同庚推选免试干涉成皆电讯工程学院（现电子科技大学）修读半导体专科工学硕士学位。1988年4月商量生毕业后留校使命于微电子科学与工程系，1990年被评为助理商量员（讲师），1994年7月破格擢升副教化。1996年5月，受国度教委委派，以高等拜访学者身份赴好意思国Virginia理工大学进修，1996年11月－1999年11月，在好意思国国度工程中心功率电子系统中心（CPES）不绝从事商量使命，参加了由好意思国科学基金、好意思国舟师部、Intel公司、HARRIS公司等资助的十余项科研神志商量。1999年11月归国使命，2000年7月被破格擢升教化，2002年被聘为博士生指导熟识。2000年被评为四川省跨世纪后生学科带头东谈主，2002年教化部“高校后生熟识奖”获取者，2005年被评为成皆市“十大特出后生”，2011年获政府突出津贴获取者，2004年和2018年分辨获成皆市有特出孝敬优秀大家，2011年获四川省有特出孝敬优秀大家，2013年景为四川省学术和技能带头东谈主，2018年入选天府改进领军东谈主才，2021年入选天府特出科学家，2013年入选国度“有特出孝敬中后生大家”和“国度百千万东谈主才工程”。 从1980年代起即勤劳于新式功率半导体技能商量，在功率半导体领域发表SCI收录论文200余篇、EI收录论文300余篇，获中好意思发明专利授权80余项，获国度科技高出二等奖等国度及部级科研奖励11项（其中牵头获取2010年国度科技高出二等奖）。所指挥的施行室在功率半导体领域已培养出博士70余名、硕士1000余名。在素养与学术商量的同期为境表里企业得胜开采了百余种（款）功率半导体领域新工艺和新址品，为企业新增告成经济效益越过100亿元。 

教化配景

         1996.05－1999.11 好意思国Virginia理工大学，好意思国国度工程中心功率电子系统中心（CPES）， 高等拜访学者

         1985.09－1988.04 成皆电讯工程学院（现电子科技大学），半导体，硕士学位

         1981.09－1985.07 北京工业学院（现北京理工大学），半导体专科，学士学位

使命经验                                                                                            

         1988.04－1994.06  电子科技大学微电子科学与工程系，熟识

         1994.07－2000.06  电子科技大学微电子科学与工程系，副教化

         2000.07－今           电子科技大学微电子与固体电子学院，教化

         2002年 －今           电子科技大学微电子与固体电子学院，博士生导师 

         2014.07－今           电子科技大学集成电路商量中心，主任     

荣誉奖励

         2010年，国度科技高出奖二等奖

         1998年，国度科技高出奖三等奖

         2014年，国度素养效果二等奖

         2009年，四川省科技高出奖一等奖

         2016年，四川省科技高出奖一等奖

         2014年，教化部当然科学奖二等奖

         1997年，电子工业部科技高出奖二等奖

         1995年，电子工业部科技高出奖三等奖

         2011年，部级技能发明奖三等奖

         2000年，部级科学技能奖二等奖

         2011年，中国电子学会电子信息科学技能奖二等奖

         2011年，中国电子科技集团公司技能发明奖一等奖 

         2015年，“四川电子科学技能奖”一等奖

从1980年代起即勤劳于新式功率半导体技能商量，屡次担任国际会议功率半导体分会主席，2010年景为国际功率半导体器件与功率集成电路学术会议（ISPSD）技能委员会（TPC）成员（大家功率半导体最高等别专科会议，张波教化是比年来初次干涉该技能委员会的国内学者），2015年ISPSD大会副主席。现在率领电子科技大学功率集成技能施行室（PITEL）主攻功率半导体技能商量。  

    电子科技大学功率集成技能施行室（PITEL）是“电子薄膜与集成器件国度重心施行室”和“电子科技大学集成电路商量中心”的焦虑构成部分。现存16名教化/商量员、9名副教化，198名在读全日制硕士商量生和30名博士商量生，被国际同业誉为“大家功率半导体技能领域最大的学术商量团队”和“功率半导体领域商量最为全面的学术团队”。施行室对准国际一流，勤劳于功率半导体科学和技能商量，商量本色涵盖分立器件（从高性能功率二极管MCR、双极型功率晶体管、功率MOSFET、IGBT、MCT到RF LDMOS，从硅基到SiC和GaN）、可集得胜率半导体器件（含硅基、SOI基和GaN基）和功率集成电路（含高下压工艺集成、高压功率集成电路、电源惩办集成电路、数字扶持功率集成及面向系统芯片的低功耗集成电路等）。 比年来，施行室共发表SCI收录论文300余篇。在电子器件领域顶级刊物《IEEE Electron Device Letters》和《IEEE Transactions on Electron Devices》上共发表论文60余篇。继2012年在EDL上发表7篇论文，论文数位列大家前哨以后，2015年在TED上发表8篇著作，论文数再次列大家前三（在固态功率与高压器件领域居大家第一）。尺度域国际最顶级学术会议IEEE ISPSD收录论文数自2006年完了零的突破后，从2011年起均居大家商量团队前哨，在ISPSD 2013、2017上论文中式数居大家商量团队第一。施行室在功率半导体技能领域已获中、好意思发明专利授权1000余项，在IGBT等多个领域授权数居国内第一。 施行室牵头获取2010年国度科技高出二等奖、2016年四川省科学技能高出一等奖、2009年四川省科学技能高出一等奖、2014年教化部当然科学二等奖等；与中国电科24所合营获取2011年中国电子科技集团公司科技发明一等奖；与上海华虹NEC合营获取2011年中国电子学会电子信息科学技能二等奖等。 施行室牵头或参研十余项国度科技首要专项；在研国度当然科学基金神志16项。与企业合营承担了国度高技能产业发展筹画、四川省产业发展关节首要技能神志、江苏省产业化回荡神志、广东省教化部产学研勾通神志、粤港关节领域重心突破神志等产业化神志；面向市集研发出100余种居品；为企业开采出60V-600V功率MOS、600V-900V超结（SJ）MOS、IGBT、120V-700V BCD、高压SOI等坐褥平台，部分居品突破国际把持、完了批量坐褥，已销售数亿只。

1. 部分代表性论文

        [1].Equivalent substrate model for lateral super junction device. IEEE Transactions on Electron Devices， v 61， n 2， p 525-532， February 2014

        [2].Analytical Modeling for a Novel Triple RESURF LDMOS with N-Top Layer. IEEE Transactions on Electron Devices， v 62， n 9， p 2933-2939， September 1， 2015

        [3].Ultralow ON-Resistance SOI LDMOS With Three Separated Gates and High-k Dielectric. IEEE Transactions on Electron Devices. 2016， 63(9): 3804-3807

        [4].Analytical Model and Characteristics for High-voltage Controllable C-SenseFET.IEEE Transactions on Power Electronics. 2016， VOL. 31， NO. 6

        [5].An advanced spread spectrum architecture using pseudorandom modulation to improve EMI in class D amplifier. IEEE Transactions on Power Electronics， v 26， n 2， p 638-646， 2011.

        [6].A 1.6-V 25-&mu;A 5-ppm/&deg;C curvature-compensated bandgap reference. IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers， v 59， n 4， p 677-84， April 2012

        [7].Digital Error Corrector for Phase Lead-Compensated Buck Converter in DVS Applications. IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems， Vol.21， No.9，  pp. 1747 - 1751， Sept. 2013.

        [8].7.6 V Threshold Voltage High-Performance Normally-Off Al 2 O 3 /GaN MOSFET Achieved by Interface Charge Engineering. IEEE Electron Device Letters， 2016， 37(2):165-168.

        [9].High Peak Current MOS Gate-Triggered Thyristor With Fast Turn-On Characteristics for Solid-State Closing Switch Applications. IEEE Electron Device Letters， 2015， 37(2):1-1.

        [10].An Accumulation Mode RF Laterally Double Diffused MOSFET with Improved Performance. IEEE Electron Device Letters，v 37，n 10，October 2016

           ......

    2. 出书刊物

        （1） Power Semiconductor Devices and Smart Power IC，自编课本

        （2） 集成电路电源无缺性分析与惩办，译著，电子工业出书社，2013年

        （3） 功率半导体器件电场优化技能，专著，电子科技大学出书社，2016年

  珍藏国际相同与合营，指挥施行室和好意思国北卡州立大学、英国剑桥大学、加拿大多伦多大学、香港科技大学、好意思国ADI（Analog Device Inc.）公司、好意思国ON Semiconductor、好意思国MPS、日本Rohm公司以及台湾AME、EUTECH、NIKO-SEMI和NUVOTON等高校和企业开展了密切合营。并与ADI公司、ON Semiconductor、MPS栽培连踏施行室。

  积极开展产学研用合营，指挥施行室和中科院微电子所、中科院微系统所、中国电子科技集团13所、24所、58所、深圳华为、株洲南车、国度电网、广东好意思的、四川长虹、华虹NEC、华润微电子、杭州士兰微、天津中环半导体、吉林华微、江苏东光、深圳爱好、北京新雷能等数十家企业开展了密切合营。并与58所、华润、中环、北京新雷能等企业栽培了校企连踏施行室。

    施行室已培养博士70余名、硕士1000余名，其中多东谈主成为国表里尺度域主干。比年施行室毕业商量生每年越过100东谈主，已成为大家功率半导体领域培养商量生最多的东谈主才培养基地。